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Mosfet模型提高了准确度

2019-08-07     来源:杭州萧山国际机场         内容标签:Mosfet,模型,提高,了,准确度,紧凑型,模型,用作,

导读:紧凑型模型用作电路模拟器的基础。它们必须能够表达现代晶体管行为的复杂性,同时占用最小的代码尺寸并能够快速运行模拟。飞利浦模型称为PSP,是与宾夕法尼亚州立大学共同开发

紧凑型模型用作电路模拟器的基础。它们必须能够表达现代晶体管行为的复杂性,同时占用最小的代码尺寸并能够快速运行模拟。

飞利浦模型称为PSP,是与宾夕法尼亚州立大学共同开发的。它不同于目前使用表面电位来描述晶体管功能的BSIM紧凑模型,而不是一个在亚阈值区域有效的模型和另一个在饱和时有效的模型的组合。

“[InBSIM][亚阈值和饱和度]之间的区域与非基于物理的数学平滑函数相关联,“飞利浦研究中心的ReinoutWoltjer解释道。“这些模型也是非对称的,因此如果在电路模拟器中互换源极和漏极,就会出现复杂情况。对于模拟应用来说,这是一个主要障碍。“

基于表面电位的模型使用一个等式来描述漂移电流,另一个用于扩散电流,两者都在整个器件功能范围内有效。

“只需​​将漂移和扩散电流相加,就可以完整地描述I/V特性,”Woltjer说。“由于您使用表面电位,您可以轻松地制作对称模型。从这个意义上讲,它是更连续的物理学,没有必要的平滑功能......这使得模型也有效地高于阈值,这是模拟和射频应用的关键领域。“

这样的模型已经在过去十年中,某些公司在内部使用,但是以紧凑的方式将它们包装起来以便快速有效地使用是很困难的。

Woltjer说,在较小的几何形状和更高的频率下结合物理效应-例如速度饱和和短通道效应-也非常困难。“这就是诀窍所​​在,”他说。

PSP已提交给紧凑型模范委员会(CMC),该委员会负责协调模型标准,作为适用于下一代紧凑型号的四种候选模式之一。至少90nm,65nm和45nm节点。“最终的决定将在10月或11月的某个时间进行,”Woltjer说。

www.eigroup.org/CMC

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